最终，在2013年年底，距离顾辙最初搞出石墨烯科学发现后大约八年半，他总算是拿到了诺贝尔物理学奖——他拿了比安德烈海姆多得多的成果，却还比安德烈海姆多等了两年半时间差，才拿到这一切，只因为他是黄皮肤的。
2013年的华夏和西方的关系还不错，而且当时世界的矛盾点在别的方向，刚好要拉拢东方世界，这一切也还顺理成章，再晚就难了。
拿到诺奖后，顾辙在深耕了八年石墨烯之余，终于渐渐把科技树爬到了“用单层原子/分子厚度的二维平面材料，配合化学沉积法制造芯片”这一领域。
顾辙毫无疑问选用了他前世淫浸多年的二维二硫化钼技术。
具体的操作,其实也跟之前说的“打印电离沉积膜、配合粉末冶金烧结”搞3d打印钛合金差不多。
这一次是需要用光刻/蚀刻设备先打印刻出沉积二硫化钼的特殊电离沉积膜材料。然后有了吸附二硫化钼游离颗粒的膜，才能吸引二硫化钼沉积出一层层分子的厚度,最后增材加工成芯片。
这种技术并不能完全摆脱对光刻机的依赖，只是原本的旧科技要用光刻机直接来刻芯片本身、而现在是用光刻机来刻沉积芯片的膜。
这种区别，就好比机加工领域，直接拿机床切削加工零件，和先用机床切削加工模具、再用模具去塑造挤压零件差不多。
前者每一个零件都要切一遍，后者切出模具后可以反复用。
化学沉积法造芯片也是这样，你一开始的沉积膜还是需要5纳米3纳米那种高精度光刻机来刻的，但沉积膜刻好了之后可以反复用，随着工艺进步，一次膜可以反复沉积几十几百甚至更多片芯片。
所以，这虽然不能完全绕过光刻机，却可以打打降低对光刻机的依赖频次。原本刻一次生产一片芯片，现在刻一次可以生产几百片芯片。
如果光刻机有被制裁断供的风险，还可以抢着偷偷租一个先赶工刻上几千几万个模具囤着。后续再拿库存的模具慢慢沉积生产芯片。
当时国际贸易形势还没恶化，全球化也还氛围不错。顾辙的新科技虽然引起震动，但也没有引发对抗。
顾辙2014年拿出来的第一代二硫化钼芯片，其实也才5纳米左右的工艺，比后世2020年代的二硫化钼芯片差远了。
顾辙还有更好的工艺，但他不急于拿出来。一来是还需要研发时间，二来是他深知有些底牌彻底拿出